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　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售产品进(jìn)行了(le)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施供应链造(zào)成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的(de)是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安(ān)全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第小舞去掉所有衣服是什么样子的一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存(cún)储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在(zài)下游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中国(guó)区销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì小舞去掉所有衣服是什么样子的)大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备(bèi)需求。据(jù)东(dōng)京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入美(měi)国限(xiàn)制名单(dān)，设(shè)备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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